2 月 24 日消息，根据韩媒 Sedaily 报道，三星正向2 纳米工艺大步迈进，已讨论为高通和三星的LSI 部门生产原型产品，表明一款未命名的 Exynos 可能正处于早期测试阶段。

　　消息称三星晶圆代工厂（Samsung Foundry）正在开发一种非常先进的SF2 GAAFET 工艺，希望在未来的2 纳米节点领域击败其主要的竞争对手。而最新报道称三星已经和高通深化合作关系，高通会使用三星代工厂最新的全栅极（GAA）工艺技术，优化和开发下一代 ARM Cortex-X CPU。

　　高通公司有可能正在评估 2 纳米 SF2 GAAFET 工艺，以用于遥远的骁龙 8Gen 5 芯片组，而三星LSI 则可能正在开发 2 纳米 "Exynos 2600" 系统芯片设计。

　　此前有消息称，三星正在开发配备 10 核 CPU 集群的 Exynos 2500，该芯片组将直接接替 Exynos 2400，但不太可能使用 2nm 工艺进行量产，因为这种光刻技术预计要到 2026 年才会投入使用。

　　报道称三星通过增强其自家的 Exynos 芯片，从而降低对高通骁龙芯片的依赖，这也是其中的一个重要原因，高通公司不断提高高端SoC 的定价，三星也希望凭借着2nm来进一步降低依赖。